Bridgman法を用いたSnSe2単結晶への13族元素ドープによる電気的挙動変化

摘要

電界効果トランジスタ(FET)の微細化における短チャネル効果などの問題を解決する半導体材料として，表面が平坦かつ不活性な 2次元層状構造をもつ遷移金属ダイカルコゲナイドが注目されている．典型元素のみで構成されるスズダイカルコゲナイドも同様な 2次元層状構造を持ち，融点が低いという特徴を有する．一方，半導体材料への応用には p 型・n 型の伝導型制御が求められるが，カルコゲナイド系半導体は自身の欠陥などに由来してp・nの一方にドープされているものが多い．本研究では，低融点という特徴を活かして，Bridgman法による二セレン化スズ(SnSe_2)単結晶の成長を行い，その際に欠陥により強くnドープされているSnSe2単結晶への13族元素(Al, In)ドープを試み，その電気的挙動の変化を調べた．