SiC およびGaN 基板上のAlGaN/GaN HEMT の歪特性比較

摘要

GaN 基板上AlGaN/GaN HEMT のIMD特性を比較評価し、GaN 基板上HEMT の低歪特性を確認した。今後は、IMD測定によるトラップ現象の定量化を進める予定である。本研究は文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」事業JPJ005357 の助成を受けたものです。