スパッタ法によるZnとAZOによる二層膜の検討

摘要

Ⅲ族元素をドープしたZnOの薄膜は，低抵抗の膜となることから，ITO薄膜に代わる透明導電膜用材料として注目されている。そこで本研究室ではこれまで，ZnOに数wt.%のAlを添加したAZO焼結体ターゲットを用い，スパッタ法により，AZO薄膜の検討を行ってきた。しかし，8×10~(-4)Ω·cmより小さい抵抗率のAZO薄膜を得ることができなかった。そこで本検討では，DC放電によるマグネトロンスパッタ法を用いて，基板上にZn膜を堆積レ，その上にAZO薄膜を堆積する方法にて，AZO膜にZnを取り込ませる方法にて，AZO薄膜の抵抗率の低下の検討を行った。その結果，Zn膜を堆積した後，基板温度を室温から上昇させたときに，基板からZn膜のほとhどが剥離してしまレ、，AZO膜にZnを取り込ませることは困難であると考えられ，この方法では，膜の抵抗率を低下させることができないことが分かった。