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SiC-MOSFETインバータ電源により生成した高繰り返しナノ秒パルスグロー放電発光の時空間分解計測

机译:SiC-MOSFET逆变器电源产生的高度重复的纳秒脉冲辉光放电发射的时空分解测量

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摘要

SiC-MOSFETインバータ電源を用いて準大気圧高繰り返 しナノ秒パルスグ口ー放電を生成し,その動的挙動を調査 した。低繰り返し周波数(20kHz)の場合には,パルス電圧 を平行平板電極間に印加直後,陰極近傍に発光がまず観測 され,発光が陰極表面全体に拡がった後,陽極にも発光が観 測された。それらの放電発光は電極間ギャップの中央に向 けてそれぞれ進展することが分かった。また,パルス電圧オ フ後のアフターグロー発光の寿命は約6μsであり,放電コ ラムが細くなりながら発光が消滅していく様子が観測された。一方,高繰り返し周波数(600 kHz)の場合には,アフ ターグ口ー発光が陰極近傍に局在化しており,次のパルス電圧が印加されるまで発光が持続していた。陰極からの2次 電子放出が高繰り返しナノ秒パルスグ口ー放電の放電維持 機構であることが示唆された。
机译:使用SiC-MOSFET逆变器电源,重复准大气压和高压,以产生纳秒级脉冲放电,并研究其动态行为。在低重复频率(20kHz)的情况下,在平行板电极之间施加脉冲电压后,立即在阴极附近观察到发光,并且在整个阴极表面上散布了发光之后,在阳极..发现它们中的每一个的放电发射都朝着电极之间的间隙的中心进行。另外,脉冲电压断开后的余辉发光的寿命为约6μs,并且随着放电胶原变薄,发光消失。另一方面,在高重复频率(600kHz)下,余辉发射位于阴极附近,并且发射持续直到施加下一个脉冲电压为止。有人提出,阴极的二次电子发射是高重复纳秒脉冲放电的放电维持机制。

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