電荷生成消滅のためのマクスウェル方程式拡張形式の一意性と普遍性

摘要

半導体中の電荷の生成消滅を扱うためにはマクスウェル方程式の拡張が必要であることが多くの半導体技術者および研究者の間で認識されつつある.これまで，量子電磁力学で導人された中西-ロートラップ場と等価な生成消滅場を用いると，上記の拡張が可能であることを示してきたが，本報告では重荷の生成消滅を极うには本拡張形式でなくてはならないことについて解説する.本拡張形式は電磁場以外の力の場についても適用できると考えられ，線形近似が可能な弱い重力場において，本拡張形式が成り立つことを示すとともに線形重力場における本拡張形式からクライン-ゴルドン方程式および時間に依存しないシュレーディンガー方程式が導出されることを示す.