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逆関数遅延モデルの回路設計に関する考察

机译:反函数延迟模型电路设计的思考

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摘要

現在主流のコンピュータでの計算時間が,問題の規模に対して指数関数的な時間必要となる問題として,素因数分解問題や巡回セールスマン問題などが存在する.これらの問題に対して,生体の脳の構成要素を参考とし構築されたニューロコンピュータを用いることで比較的早く解ける可能性がある.そのモデルの一つとして逆関数遅延モデル(Inverse function Delayed Model,以下ID モデルと呼ぶ)が挙げられる.ID モデルの持つダイナミクス中にある負性抵抗特性を用いることで,組合せ最適化問題を解く際に生じる極小値問題を回避することができ,特定の問題において100%の確率で解を得ることができる.このモデルのハードウェアの実現として,FPGA を利用した研究報告例もあるがチップ化による実現例はまだない.そこで本研究の目的はID モデルの核となる負性抵抗特性をMOSFETのみのΛ型負性抵抗回路により実現し,その評価を行うことである.
机译:当前主流计算机上的计算时间已成为一个问题规模 另一方面,作为需要指数时间的问题,素数分解 有问题和旅行推销员问题。这些 它是针对该问题而参照活体大脑的组件而构造的。 可以通过使用神经计算机来相对较快地解决它。 有可能。逆函数延迟模型作为模型之一 (反函数延迟模型,以下称为ID模型) 可以提到。在ID模型的动态中 使用负电阻特性解决组合优化问题时 可以避免出现最小值问题,并且可以针对特定问题 可以100%的概率获得解决方案。这个模型 使用FPGA作为FPGA硬件实现的研究报告实例。 尽管有一些,但没有通过碎片实现的示例。因此,这项研究 MOSFET的用途是ID模型的核心负电阻特性。 仅通过Λ型负电阻电路即可实现,并进行评估。 是。

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