Logic gates; Electron traps; Electric breakdown; Gallium nitride; Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors; HEMTs;
机译:第II部分:关于针对超高击穿AlGaN / GaN HEMT的GaN缓冲器中的工程设计供体和受体陷阱浓度的建议
机译:C掺杂GaN缓冲液中表面形态和C浓度对自支撑GaN衬底上AlGaN / GaN HEMT击穿电压的影响
机译:高场应力下表面陷阱对钝化AlGaN / GaN HEMT击穿电压的影响
机译:Avalanche崩溃对AlGaN / GaN Hemts的表面和缓冲陷阱的依赖性
机译:处理表面状态的传输拐点和电荷陷阱对AlGaN / GaN HFET漏极电流的影响。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱