紫外近接場光照明利用センサのためのスパッタリング法による TiO_2/SiO_2導波モード励起用チップの作製

摘要

紫外光により励起される量子ドットは，ストークスシフトが大きく発色が鮮明であり，生体物質のための蛍光標識として注目を集めている。これまでに我々は，SiO2基板にTiO_2を膜厚38.4 nm，SiO_2を膜厚160.0 nmで成膜した導波モード励起用チップを用いることで，波長375 nmにおけるチップ最表面の近接場光の二乗電界強度を，高効率に増強できることを，転送行列法を用いた電界計算により示した(1)。本稿では，TiO2/SiO2導波モード励起用チップを作製し，量子ドット添加液（Q-dot® 705）の蛍光強度を測定し，上の計算結果の検証を行った。