Integrated circuit modeling; Photonic band gap; Semiconductor diodes; Substrates; Temperature dependence; Temperature measurement; Temperature sensors; Band gap; PTAT; Temperature sensor;
机译:4H–SiC中的宽温度范围集成带隙基准电压源
机译:使用分段曲率温度补偿技术从无电阻CMOS带隙基准电路产生低于1V的基准电压
机译:0.5 / splμm/ m CMOS技术中的精确低功耗带隙基准电压源
机译:新型SOI技术中的带隙电压参考和温度传感器
机译:低温系数带隙电压参考发电机
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:基于自适应参考温度的带隙电压基准曲率补偿技术