MOVPE条件下におけるⅢ族窒化物半導体無極性面の熱力学解析

摘要

窒化物半導体は発光デバイスへの応用が期待されているが、c軸に沿った内部電界の影響によりその発光効率が低下するという問題点がある。そこで内部電界の影響を減らすために、c軸から成長方向を傾けた無極性面および半極性面を成長面とした結晶成長が注目を集めている。これまでに我々は有機金属気相エピタキシー(MOVPE)条件下における結晶成長を理論的に議論するために、第一原理計算に基づき算出された表面エネルギーを熱力学的に解析する手法を用いて、半極性面における成長過程の成長条件との相関性を明らかにしてきた。本研究では無極性面に注目し成長条件と極性との関係性を議論する。