面発光レーザの応用へ向けたArプラズマ照射による窒化物半導体トンネル接合電流狭窄構造

摘要

窒化物半導体トンネル接合は、光吸収係数の高いITO電極の代わりとして青紫（410nm帯域）面発光レーザに利用されている。一般的には、トンネル接合メサを形成し、埋め込むことで電流狭窄が実現されている。一方で、このメサ構造では数 10nm の段差が生じるため、光散乱損失の要因になる、あるいは埋め込み再成長の最適化が必要になるなど課題が存在する。本研究では、Arプラズマをp-GaN層に照射すると高抵抗化するという報告を逆に利用して、トンネル接合高Mg濃度層に上記Arを選択的に照射、その後、高Si濃度層およびn-GaN層を再成長することで段差のない電流狭窄構造を実現したので報告する。