スパッタ成膜後のその場アニールによるglass基板上AlドープZnO薄膜の特性改善効果

摘要

AlドープZnO薄膜(AZO)は, 低い抵抗率 (≦10-3Ωcm)及び可視光領域(400 ～ 800 nm)における80 %程の光透過率を有することから透明導電膜の代替材料として期待されている. しかし, マグネトロンスパッタ成膜時における電気的特性の径方向不均一性が問題になっている. そこで本研究では, RFマグネトロンスパッタ法を用いてglass基板(Eagle XG)上にAZO薄膜を堆積させ,その後, スパッタ成膜装置内でその場アニール(In-situ anneling)を行なった. 成膜条件として, RF電力200 W, 基板温度150°C, 成膜時間20 min, 全圧0.5 Pa, Ar流量50 sccm一定とした. ターゲットの中心r=0 mmからr=35 mmの範囲で5 mm間隔で基板を配置した. また, その場アニール条件として, アニール時間60 min, アニール温度300°C一定とし, アニールの有無について電気的特性及び結晶構造を比較し, 検討を行なった.