RFスパッタリング装置を用いたガラス基板上へのPZT薄膜成膜

机译：使用RF溅射装置在玻璃基板上沉积PZT薄膜

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Pb(Zr, Ti)O_3 (PZT)圧電薄膜は高い圧電性を有する材料として注目されており，Si基板上PZT薄膜を用いたMEMSデバイスへの応用が検討されている.一方，Si以外の基板として特にガラス基板上に圧電薄膜を成膜することで光学素子ゃデイスプレイと集積化した新しい応用デバィスが期待されている.本研究では，耐熱性を考慮した設定温度下で，RFスパッタリング法を用いてガラス基板上にPZT薄膜を成膜し，その圧電特性を評価した.

机译：Pb（Zr，Ti）O_3（PZT）压电薄膜作为具有高压电性的材料备受关注，并且正在研究在Si衬底上使用PZT薄膜的MEMS器件中的应用，另一方面，除Si以外的其他衬底，特别是，期望通过在玻璃基板上形成压电薄膜，将光学元件和显示器集成在一起的新的应用装置;在这项研究中，考虑到耐热性，在设定温度下使用RF溅射法。评价在玻璃基板上形成的膜的压电特性。

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来源
《応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会》|2019年|05.170|共1页
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作者
上田一貴; 神野伊策;
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