マルチTSV構造電流端子を有するMEMSロゴスキーコイル

摘要

パワーコンディショナのインバータ等に使われているパワーSi-MOSFET、Si-IGBTなどのパワーデバイスは、世界中の高温、多湿、塩害雰囲気などの過酷な環境で使われている。さらに数十年の長期にわたり安定動作が求められるが、デバイスおよび周辺部品の劣化などによる過電流により火災や漏電、感電等の事故、エネルギーロスが想定される。そこでわれわれは、IGBTなど縦方向の電御制御を行うパワーデバイスにおいて、過電流をいち早く検知する TSV構造のMEMSロゴスキーコイルの開発に取り組hでいる。