机译:SUB-10?NM特征铬光掩模,用于方形金属环阵列的触点光刻
机译:使用双面(结构化)光掩模进行掩模对准器光刻的硅通孔制造的优化光刻工艺
机译:通过通过无抗抗性光刻图案化的单层掺杂来制造原子掺杂线
机译:使用I线光学图案发生器对光掩模制造的Sub-0.30-UM抗蚀剂特征的光刻模拟
机译:先进光刻胶工艺中反应动力学的建模和仿真。
机译:亚10 nm特征铬光掩模用于方形金属环阵列的接触光刻构图
机译:使用257nm光学图案发生器表征用于光掩模制造的非化学放大抗蚀剂
机译:扫描探针光刻。 3.在无意添加溶剂或电解质的情况下,纳米级电化学图案化auand有机抗蚀剂