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Electrical and mechanical studies of MCM-D interconnect structure

机译:MCM-D互连结构的电气和机械研究

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摘要

The electrical and mechanical properties of a multilayer thin-filmMCM-D interconnect are studied in this investigation. Numerical analysesare executed to calculate the electrical parameters of thin-filmmicrostrip line and it shows that the additional delay decreases whileincreasing the thickness of the conductor. Environmental scanningelectron microscopy (E-SEM) was utilized to characterize mechanicalinduced defects in signal line. Cracking on metal lines and delaminationof polyimide/metal interfaces due to mismatch of coefficient of thermalexpansion and the moisture absorption of the polyimide film wereobserved
机译:多层薄膜的电气和机械性能 在此调查中研究了MCM-D互连。数值分析 执行以计算薄膜的电参数 微带线,它表明附加延迟减小,而 增加导体的厚度。环境扫描 电子显微镜(E-SEM)用于表征机械 引起信号线中的缺陷。金属线上开裂和分层 热系数不匹配导致聚酰亚胺/金属界面的数量 聚酰亚胺薄膜的膨胀率和吸湿率分别为 观测到的

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