Broadband; G-band (140–220 GHz); gallium nitride (GaN); high-electron-mobility transistor (HEMT); monolithic microwave integrated circuit (MMIC); power amplifier (PA);
机译:Ingaas MHEMT技术的宽带300 GHz功率放大器MMIC
机译:具有集成肖特基二极管的GaN HFET MMIC,适用于2 GHz的高效数字开关模式功率放大器
机译:使用新型宽带径向短截线的全W带GaN功率放大器MMIC
机译:具有40GHz带宽的190GHz G波段GaN放大器MMIC
机译:高效,线性和宽带GaN MMIC功率放大器。
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:6-W,28-38-GHZ GAN功率放大器MMIC中竞争匹配的限制与实施策略
机译:5 W微波集成电路(mIC)氮化镓(GaN)F类功率放大器,工作频率为2.8 GHz