一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器

摘要

本发明公开了一种工作频段在200GHz以上的高本振射频端口隔离度基波上变频混频器，其中的晶体管Q3～Q6基极与高隔离度本振差分输匹配入电路的输出端相连；Q3～Q6集电极与开关晶体管互联电路的输入端相连；晶体管Q1～Q2基极分别与射频差分输入端相连；Q1集电极分别与Q3和Q4发射极相连；Q2集电极分别与Q5和Q6发射极相连；Q1～Q2发射极与金属平面相连；开关晶体管互联电路输出端与高阶差分输出匹配电路的输入端相连；高隔离度本振差分输入匹配电路输入端与本振信号输入端相连；高阶差分输出匹配电路输出端与射频输出端相连；金属平面接地。本发明能够间接提高太赫兹频段上混频器本振端口与射频端口的隔离度。