ディープリセス構造によるノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善

摘要

リセス深さによりノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チャンネル効果改善を検討した.TCADによる解析から深堀リセス構造は，リセス端部における電界集中を低減させる効果があると考えられる.また，リセス深さを165nmとした素子を作製し，電気特性を評価した結果，ドレイン誘起障壁低下、DIBL),サブスレツショルドスロープ(SS)の劣化，及びしきい値電圧（Vth)の負シフトが改善していることを確認した.深堀リセス構造の作製は簡易であることから，ノーマリオフ型GaN MOSFETsの短チヤンネル効果(SCEs)の改善に有効であると考えられる.