2-based gate stacks on epi- Si
Annealing; Silicon germanium; Logic gates; Plasma temperature; Oxidation; Substrates; Temperature;
机译:包含超薄HfO2和Ti基金属栅极的原子层沉积栅极堆叠的工程结晶度:后金属栅极退火和集成方案的影响
机译:金属氧化物半导体界面性能锡/ Y_2O_3 / SI_(0.62)GE_(0.38)栅极堆叠,具有高温金属化退火
机译:具有HfO2 / Hf-Cap / GeOx栅叠层和合适的后金属退火处理的高性能Ge pMOSFET
机译:HfO2和衬底之间的SiO2中的Si化学势增加会导致SiO2的自分解-全面了解Si,SiGe和SiC上HfO2栅堆叠中的SiO2-IL清除
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:基于环境后金属退火和恒压应力的Al2O3 / ZrO2和Al2O3 / HfO2双层薄膜的边界陷阱表征
机译:通过Gd掺入和热退火调制的HfO2 / Ge栅堆叠的界面化学和介电性质的演变