机译:基于HfO2的FeFET型非易失性存储器中的电荷陷阱现象
机译:通过集成ALON界面层,可以实现大的内存窗口和FEFET内存的高可靠性
机译:萤石结构的铁电HFO2记忆FEFET温度依赖性操作研究:温度调制操作
机译:基于铁电HFO2的回忆的可靠性:从MOS电容到FEFET
机译:基于HfO2的FeFET:即将接管DRAM或闪存的重新出现的技术
机译:具有快速电压脉冲测量特性的ZrO2种子层的基于Hf0.5Zr0.5O2的FeFET的存储窗口和耐久性的提高
机译:DipolarQ1:请确认对文章标题的编辑。在FFET的铁电介质层中对准,以提高电荷迁移率和非易失性存储器