BTI; RTN; DFT; oxide defects; charge trapping; nonradiative multiphonon (NMP) theory;
机译:双稳态胆甾型液晶中Freedericksz跃迁的能面和最小能级
机译:具有结构缺陷的二维石墨烯:弹性平均自由程,最小电导率和安德森跃迁
机译:确定半导体中点缺陷的准确缺陷形成能量和电荷跃迁水平的有效方案
机译:用于氧化物缺陷的非绝热电荷过渡的最小能量路径
机译:金红石型二氧化钛的带电点缺陷:从缺陷电荷分布到缺陷声子自由能。
机译:配体诱导的腺苷酸激酶跃迁的最小自由能路径
机译:Fr \'edericksz过渡的能量表面和最小能量路径 在双稳态胆甾型液晶中