Electrodes; Performance evaluation; Statistical analysis; Microscopy; Linearity; Switches; Nanoscale devices;
机译:底部电极的粗糙度对铂/氮化镍/镍1×1交叉式阵列电阻式随机存取存储单元的电阻转换特性的影响
机译:底部电极的表面粗糙度对300℃玻璃上制备的Al / Al_2O_3 / Al和Al / Al_2O_3 / W结构的电阻转换特性的影响
机译:底部电极对多晶BiFeO_3薄膜中纳米级开关特性和压电响应的影响
机译:底部电极材料对HfO
机译:纳米级集成电路中的开关噪声,时序和特性。
机译:透明铟锡氧化物电极对Gd:SiO2 RRAM器件双极开关性能的照明影响
机译:HFOX和Alox介电膜堆叠顺序对RRAM切换机构的影响,以表现数字电阻切换和突触特性