gallium compounds; power field effect transistors; wide band gap semiconductors;
机译:通过常关型GaN基混合漏极嵌入式栅极注入晶体管中的漏极空穴注入来抑制电流崩溃
机译:通过P-GaN栅极的空穴注入抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中的基板耦合
机译:关于“在n-MOS晶体管的低栅极电压热载流子应力期间由空穴注入产生的电子和空穴陷阱的生成和表征”的评论(带回复)
机译:P-GaN闸门中供体型孔陷阱在GaN的栅极注入晶体管(Git)下的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:通过共轭聚合物包裹的碳纳米管中间层同时改善有机场效应晶体管中的空穴和电子注入
机译:通过P-GaN栅极的空穴注入抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中的基板耦合
机译:在多晶硅栅极结构中使用雪崩注入在不同氧化条件下生长的热氧化物中的空穴俘获