multi-layer mask stack; anamorphic; extreme ultraviolet;
机译:使用极紫外显微镜评估多层相缺陷上的极紫外光刻掩模吸收体图案
机译:B_4C覆盖层用于极紫外掩模对使用投影电子显微镜检查图案掩模的敏感性的影响
机译:极薄的极紫外掩模吸收剂材料,用于极细的间距图案
机译:极端紫外线掩模多层材料变化对水平的影响到垂直图案偏差
机译:用于自然缺陷分析的极紫外光刻掩模版的局部掩模图案
机译:水平和垂直平面上太阳紫外线辐射的日变化
机译:B4C覆盖层对极端紫外线掩模的影响对使用投影电子显微镜图案化掩模检查的灵敏度