金属镶嵌极端远紫外线光刻术用交替型相移光掩模及制造方法

摘要

本发明公开了一种光刻掩模。该掩膜包括按照光掩模图案选择性形成在衬底上的图案层。接下来，在该图案层和该衬底上形成多层叠层。该多层叠层由多对薄膜组成。最后，在该多层叠层中形成的多个沟槽中布置吸收层。该吸收层能够吸收EUV照射辐射。而且，多个沟槽基本位于图案层和衬底之间的边界上。