Gold; Fluctuations; Flash memories; Shape; Probability; Error correction codes; Computer architecture;
机译:辐射诱导16 nm浮栅SLC NAND闪存中的软误差
机译:90 nm 64 Mb NOR型浮栅闪存中重离子引起的失调误差
机译:基于闪存的固态驱动器中的错误表征,缓解和恢复
机译:芯片级表征和RTN诱导的误差缓解超过20nm浮栅闪存
机译:设计用于非易失性闪存设备的纳米晶体浮栅。
机译:经过溶液处理的分子浮栅用于柔性闪存
机译:读取mLC NaND闪存中的干扰错误:表征,缓解和恢复