EUV Lithography; Optical Metrology; OCD; Line Edge Roughness; Line Width Roughness; EUV Mask; Programmed Roughness Structures; Symmetric roughness; Asymmetric roughness;
机译:纳米CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)的研究:第一部分–建模和仿真方法
机译:纳米级CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)的研究:第二部分-实验结果及其对器件可变性的影响
机译:添加剂对嵌段共聚物光刻中界面宽度和线边缘粗糙度的影响
机译:线边缘和线宽粗糙度的OCD视角
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:车道宽度车道位置和边缘路肩宽度对地下城市高速公路驾驶行为的影响:驾驶模拟器研究
机译:所选材料化学成分对切削刃粗糙度的影响及HAZ的宽度