FinFETs; Capacitance; Delays; Mathematical model; Logic gates; Ions; Solid modeling;
机译:纳米线隧道FET,由于负电容和电压循环效应,同时降低了分暑中亚阈值摆动和偏压
机译:Si / Ge异质结FinFET中阈值电压和亚阈值摆幅的分析模型
机译:TMG FinFET的分析阈值电压和亚阈值摆幅模型
机译:用于滞后负电容FINFET的亚阈值摆幅和内部电压放大的分析
机译:通过电流-电压,电容-电压和内部光发射法测量的四个氢和六个氢碳化硅的(0001),(0001bar),(11bar00)和(12bar10)晶面的肖特基势垒。
机译:同时减少亚热离子的纳米线隧道FET负电容和亚阈值摆幅和关断电流电压固定效应
机译:Zroox负电容场效应晶体管,具有子60亚阈值摆动行为