机译:使用选择性琥珀酸栅极凹陷工艺的高均匀性增强和耗尽型InGaP / InGaAs pHEMT
机译:增强/耗尽型双δ掺杂AlGaAs / InGaAs pHEMT的温度相关特性及其单片DCFL集成
机译:使用高k氧化oxide中间层的新型GaAs增强模式/耗尽模式pHEMT技术
机译:使用6英寸砷化镓具有成本效益的生产工艺来增强和耗尽模式的pHEMT
机译:基于氮化铝镓的增强型和耗尽型HEMT的工艺开发。
机译:使用液相沉积的TiO2作为栅介质的AlGaAs / InGaAs PHEMT的亚阈值特性和闪烁噪声降低
机译:用于高效功率放大器的增强/耗尽模式InGaP / AlGaAs PHEMT工艺
机译:采用低温Gaas缓冲液增强的高性能0.15微米 - 栅极长度pHEmT