HiSIM-HVを用いたLDMOSオン抵抗の劣化モデルの開発

摘要

本研究では，nチャネルLDMOSのHCI現象について回路シミュレータSPICEを用い，劣化を事前に予想するためのモデルを開発した.nチャネルLDMOSのデバイスモデルはHiSIM-HVを採用した.nチャネルLDMOSはオン抵抗が増加し劣化に繋がることから，nチヤネルLDMOSの構造とオン抵抗の関係性を調ベHiSIM-HVとの対応を論じ，劣化抽出するめのパラメータを予想した.論文データと測定データからパラメータ抽出を行い，予想したパラメータを増加させることで劣化抽出をした.劣化は，パラメータ変化を式化しパラメータと置き換えることで表現を可能にした.