Electron traps; Stress; Transient analysis; Low-frequency noise; Logic gates; Silicon; High K dielectric materials;
机译:研究HfSiON栅极介电MOSFET陷阱特性的新型瞬态表征技术-从单电子发射到PBTI恢复瞬态
机译:SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导电荷载流子产生/俘获及相关降解的比较
机译:HfAlO / SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导的电荷载流子产生/俘获相关降解
机译:通过系统的RTN特性和AB Initio计算,深入了解过程诱导的高k栅极电介质中的预先存在的陷阱和PBTI应力诱导的陷阱世代
机译:电荷陷阱对高k栅极堆叠中的迁移率和阈值电压不稳定性产生影响。
机译:吉西他滨-维生素E偶联物:合成表征截留到纳米乳剂中以及体外脱氨基和抗肿瘤活性
机译:基于P3HT和高k栅极介电材料的固溶自举有机逆变器
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成