Electron traps; Stress; Transient analysis; Low-frequency noise; Logic gates; Silicon; High K dielectric materials;
机译:研究HfSiON栅极介电MOSFET陷阱特性的新型瞬态表征技术-从单电子发射到PBTI恢复瞬态
机译:SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导电荷载流子产生/俘获及相关降解的比较
机译:HfAlO / SiO_2和HfO_2 / SiO_2栅介质堆叠的电应力诱导的电荷载流子产生/俘获相关降解
机译:通过系统的RTN表征和从头算起的方法,深入了解高k栅极电介质中的过程诱发的陷阱和PBTI应力诱发的陷阱
机译:电荷陷阱对高k栅极堆叠中的迁移率和阈值电压不稳定性产生影响。
机译:吉西他滨-维生素E偶联物:合成表征截留到纳米乳剂中以及体外脱氨基和抗肿瘤活性
机译:基于P3HT和高k栅极介电材料的固溶自举有机逆变器
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成