机译:6.25 GHz,1 MV输入分辨率辅助电路辅助比较器65 nm CMOS工艺
机译:通过CMOS兼容工艺在绝缘体上硅衬底上制造了超过10GHz的横向硅光电探测器
机译:电荷控制延迟元件可在1.2V,65nm CMOS中实现广泛的线性功率高效MPCG-MDLL
机译:0.996MW 10GHz切片机,具有65nm CMOS的20mV输入分辨率
机译:基于Wilkinson Combiner方法的130nm CMOS技术中10GHz RF功率放大器设计
机译:设计新的高分辨率微血管造影的考虑基于CMOS传感器(MAF-CMOS)的荧光镜
机译:1.5至5.0GHz输入匹配+ 2dBm p1dB全无源开关电容波束成形接收器前端采用65nm CmOs封装