【24h】

New MOSFET Packaging Techniques for High Power Density

机译:高功率密度的新型MOSFET封装技术

获取原文

摘要

Present synchronous buck loss model with parasitic inductance is not sufficient to account for power losses especially with sub-milliohm high output capacitance synchronous MOSFETs. Output capacitance impact on hard switching is explained and verified. A new model including parasitic inductance and capacitance effects is presented here. New packages minimizing common source inductance and maximizing thermal performance are introduced.
机译:当前具有寄生电感的同步降压损耗模型不足以解决功率损耗,尤其是对于亚兆欧高输出电容同步MOSFET。解释并验证了输出电容对硬开关的影响。这里提出了一个包括寄生电感和电容效应的新模型。引入了最小化共源电感和最大化热性能的新封装。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号