机译:栅极控制二极管,高频和准静态$ C $ – $ V $技术,用于表征高级垂直沟槽功率MOSFET
$C$– $V$; gate-controlled diode (GCD); power MOSFET; quasi-static (QS);
机译:高频同步降压转换器应用中沟槽电源MOSFET的性能分析
机译:优化比例的低压垂直功率MOSFET,用于高频功率转换
机译:栅极电阻对高级功率MOSFET的高频功率开关效率的影响
机译:通过高频和准静态C-V技术测量n型干热氧化6H-SIC MOS二极管中的快速和慢速接口陷阱
机译:用于功率IC应用的硅横向沟道功率MOSFET
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:具有P-Body Instantation条件的沟槽栅型超级屏障整流器的二极管和MOSFET性能,用于电力系统应用