pn接合電流を考慮した弱反転領域動作MOSFETの温度特性のモデリングと低電圧カレントミラー回路における一考察

摘要

集積化技術の向上により、icチップ上に回路をより微細化して設計することが可能となつた。同一面積でより多くのトランジスタを設計できるため、集積回路は高機能化、高速動作化、低コスト化などが実現可能になった。そうした恩恵がある中で、回路に対して低消費電力化が求められている。