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MOSFET内阻检测电路及该电路检测MOSFET温度的方法

摘要

本发明涉及电路检测技术领域,特别是一种MOSFET内阻检测电路及利用MOSFET内阻变化检测电路检测MOSFET温度的方法。一种MOSFET内阻检测电路,包括,内置于电机控制器的检测电路和母线采样电阻分压采样电路,用以测出母线采样电阻分压;MOSFET内阻分压采样电路,用以测出MOSFET内阻分压;根据测出的母线采样电阻的分压和MOSFET内阻分压,利用欧姆定律计算出MOSFET的内阻。本发明在电机控制器的软件中植入两种算法,利用母线电流重构电机相电流的算法和利用MOSFET分压检测电机相电流的算法,在不同的温度条件下,从MOSFET内阻获取的相电流值与从母线采样电阻获取的相电流值是不同的。根据他们反馈电压的比例关系可以获取当前MOSFET的结温。

著录项

  • 公开/公告号CN110940905A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常州工业职业技术学院;

    申请/专利号CN201911281413.0

  • 发明设计人 徐海霞;

    申请日2019-12-13

  • 分类号

  • 代理机构常州市权航专利代理有限公司;

  • 代理人赵慧

  • 地址 213000 江苏省常州市武进区鸣新中路28号

  • 入库时间 2023-12-17 06:51:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20191213

    实质审查的生效

  • 2020-03-31

    公开

    公开

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