机译:低于45 nm CMOS和FinFET技术的6 T SRAM单元分析
机译:5.6 Mb / mm 2 1R1W 8T SRAM阵列,工作在低至560 mV的条件下,利用小信号感应,电荷共享位线和非对称感应放大器采用14 nm FinFET CMOS技术
机译:具有14nm FinFET CMOS技术的0.6 V,1.5 GHz 84 Mb SRAM,具有电容性电荷共享写辅助电路
机译:17.1 14NM FinFET CMOS技术的0.6V 1.5GHz 84MB SRAM设计
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:具有嵌入式校准方案的动态pH传感器采用先进的CMOS FinFET技术
机译:在0.5V电压下的14nm FinFET CMOS SOI中的5Gb / s 7.1fJ / b / mm 8×多点片上10mm数据链路