InGaAs; 320×256; solid-state low-light devices; FPAs; high temperature; reflection imaging; p-i-n;
机译:320 x 256雪崩阵列光电探测器,基于具有InGaAs吸收层和InAlAs阻挡层的A(3)B(5)组三元合金
机译:基于InAs / InGaAs / InAIAs / InP量子点红外光电探测器的高工作温度320 X 256中波长红外焦平面阵列成像
机译:砷化铟固体溶液:基于InGaAs(P)的器件
机译:320x256 Ingaas天文相机的读数系统设计
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在160毫米非螺旋体积采集模式下评估256和320行面积检测器计算机断层扫描仪的纵向光束特性和对比度均匀性
机译:砷化铟固溶体:基于InGaas(p)的器件
机译:使用sWIR InGaas 256x256 Fpa在1.0微米 - 1.7微米光谱带中成像的非制冷相机的性能。