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丁国庆;
邮电部武汉电信器件公司;
半导体器件; 参数测量; Ip-V曲线;
机译:基于InP的晶格匹配InGaAsP和应变补偿InGaAs / InGaAs量子阱电池,用于热光电应用
机译:基于InP的InAlAs / InGaAs HEMT中的体接触及其对击穿电压和扭折抑制的影响
机译:InGaAs / InGaAlAs和InGaAs / InGaAsP多量子阱器件中场筛选的时间分辨研究
机译:用于半导体光放大器的对接应变补偿IngaAs / InGaASP / InP MQW放大器 - 波导装置的低温谱CL研究生长诱导的对接应变补偿IngaAs / InGaASP / InP MQW放大器 - 波导器件
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:用于热光电应用的基于Inp的晶格匹配InGaasp和应变补偿InGaas / InGaas量子阱单元
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
机译:高能离子注入法制备晶格状INGAAS / INGAASP多量子阱结构的光电器件外延结构及其制造方法
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