Current collapse; Diode-integrated MOS (DioMOS); Gallium Nitride (GaN); Gate Injection Transistor (GIT); Silicon Carbide (SiC);
机译:功率器件中p型SiC和GaN接口的关键问题
机译:GaN基高压功率器件的可靠性问题
机译:系统中SiC功率器件的可靠性挑战及其对可靠性测试的影响
机译:GAN和SIC电源设备的可靠性问题
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:采用siC在HEmT器件上的GaN,具有40 dBm饱和输出功率的3.6 GHz Doherty功率放大器
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性