Electric breakdown; Simulation; Doping; Logic gates; Threshold voltage; Dielectrics; Power systems;
机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:真空/高k栅介电三栅FinFET自热效应的数值研究
机译:利用X射线光电子能谱研究InGaAs和GaAs与化学气相沉积高k栅极电介质集成的界面特性
机译:具有高K栅极电介质的SEGR硬化超结VDMOS
机译:高k栅极电介质的反应:在ha,锆,钇和镧基电介质以及二氧化ha原子层沉积的原位红外结果方面的研究。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:非晶态氧化镧L薄膜替代高k材料:高k栅极电介质的物理和技术5