Semiconductor device modeling; Temperature measurement; MOSFET; Voltage measurement; Predictive models; Tunneling; Leakage currents;
机译:P-Channei 4H-SiC MOSFET中氧化物漏电流的传导机制
机译:纳米级DG MOSFET漏电流机制建模及其在低功率SRAM设计中的应用
机译:基于物理的紧凑型模型,由全栅MOSFET中的寄生双极结型晶体管引起的瞬态泄漏电流
机译:nMOSFET中栅极偏置温度应力引起的关态泄漏:机理,寿命模型和电路设计考虑
机译:开发基于物理的4H-SiC高压功率开关模型-MOSFET,IGBT和GTO。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:SIC VD-MOSFET中单事件漏电流机制的重离子微观研究