SiGeC and InP HBT Compact Modeling for mm-Wave and THz Applications

机译：适用于毫米波和太赫兹应用的SiGeC和InP HBT紧凑模型

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An overview on compact transistor modeling for mm-wave HBT technologies is provided. Using HICUM as a vehicle, a comparison to experimental DC, AC and large-signal data is performed. Selected examples are shown for advanced SiGeC and InP HBTs with operating frequencies (fT, fmax) of (300, 500) GHz and (350, 450) GHz, respectively. Good agreement between model and measurements is obtained for all characteristics

机译：提供了有关毫米波HBT技术的紧凑型晶体管建模的概述。使用HICUM作为车辆，可以与实验的DC，AC和大信号数据进行比较。分别显示了工作频率（fT，fmax）为（300，500）GHz和（350，450）GHz的高级SiGeC和InP HBT的示例。对于所有特性，模型和测量值之间都具有良好的一致性

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来源
《2011 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium : Integrated Circuits in GaAs, InP, SiGe, GaN and Other compound Semiconductors : Technical Digest 2011》|2011年|p.1-4|共4页
会议地点
作者
Schroter M.; Pawlak A.; Sakalas P.; Krause J.; Nardmann T.;
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正文语种
中图分类化合物半导体;
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