InP HBT器件模型及太赫兹单片放大电路研究

目录

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主要符号表

第一章 绪 论

1.1研究背景与意义

1.1.1太赫兹技术发展

1.1.2 固态太赫兹技术

1.2 高频InP HBT器件模型国内外发展动态

1.2.1 小信号模型发展动态

1.2.2 大信号模型发展动态

1.3 太赫兹InP HBT单片放大电路国内外发展动态

1.4 本文的研究内容和章节安排

第二章 InP HBT器件基本原理及其高频测试方法

2.1 引言

2.2 HBT器件基本工作原理

2.3 国产太赫兹InP DHBT器件

2.4 太赫兹器件测试与校准

2.5 本章小结

第三章 太赫兹InP HBT电极间寄生效应研究和小信号等效电路模型建模

3.1 引言

3.2 太赫兹InP HBT电极间寄生效应研究方法

3.2.1 三维电磁场仿真方法概述

3.2.2寄生参数三维电磁场仿真提取方法研究

3.3 色散电极间寄生参数模型

3.3.1 色散电极间寄生参数模型拓扑

3.3.2 EM仿真软件校准

3.3.3 色散电极间寄生参数提取方法

3.3.4色散电极间寄生参数模型的小信号模型验证

3.3.5 电极间寄生参数提取小结

3.4 InP HBT双基极内电阻小信号等效电路模型

3.5 双基极内电阻小信号模型参数提取

3.5.1 串联电阻和串联电感提取

3.5.2 寄生电容提取

3.5.3 本征参数初始化与参数提取

3.6 多偏置小信号模型验证

3.7 本章小结

第四章 InP HBT大信号模型建模

4.1 引言

4.2 InP HBT大信号等效电路模型拓扑优化

4.3 InP HBT大信号模型参数提取

4.3.1 电流方程及其参数提取

4.3.2 电荷方程及其参数提取

4.3.3 软膝现象

4.3.4 热-电耦合

4.4 大信号模型在电路仿真软件中的实现

4.5 模型验证

4.6 本章小结

第五章 太赫兹InP DHBT单片放大电路研究

5.1引言

5.2 InP DHBT单片电路设计环境

5.3太赫兹单片放大电路的设计方法

5.4 140 GHz单片放大电路研究

5.4.1 140 GHz级联放大器

5.4.2 140 GHz功率合成放大器

5.5平面空间功率合成（IPS）功分器研究

5.5.1 平面空间功率合成（IPS）功分器

5.5.2 常用太赫兹功分器对比分析

5.6 220 GHz单片放大电路研究

5.6.1 220 GHz级联放大器

5.6.2 T型结功分器220 GHz单片放大器

5.6.3 IPS功分器220 GHz单片放大器

5.7 300 GHz单片放大电路研究

5.7.1 200-340 GHz IPS功分器设计

5.7.2 300 GHz功率合成共基极放大器设计

5.8 本章小结

第六章 太赫兹单片放大器封装技术研究

6.1 引言

6.2 过渡结构设计

6.2.1 倒置共面波导过渡结构

6.2.2 金丝键合E面探针对比研究

6.3 腔体设计

6.4 放大器模块测试

6.5 本章小结

第七章 全文总结与展望

7.1引言

7.2 本文的主要工作和创新点

1．InP HBT 色散电极间寄生参数模型研究

2．基于双基极内电阻拓扑的InP HBT 小信号等效电路模型建模

3．InP HBT 大信号模型建模

4．太赫兹平面空间功率合成（IPS）功分器设计

5．太赫兹单片放大电路研制

6．倒置共面波导过渡结构研究

7.3 未来工作的展望

致谢

参考文献

攻读博士学位期间取得的成果