太赫兹InP HEMT器件的建模

摘要

采用减小栅长(Lg)的方法可以显著提高InP HEMT器件的直流和微波性能,并使器件的工作频率上升到太赫兹频段.采用T形栅工艺制备了70nm栅长的InP HEMT器件,器件的直流跨导达到了2.87S/mm,截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为230GHz和310GHz.对器件的寄生参数进行了提取和去嵌入,得到了器件的本征S参数.采用经典的9参数模型拓扑结构对器件进行了小信号建模,模型仿真与测试结果拟合良好.针对电流的短沟道效应,采用电流分段的方法来拟合IV曲线,取得了较好的拟合结果.最后采用Angelov模型对器件的电容进行建模,并最终建立了器件的大信号模型.