TANOS flash memory; retention characteristics; silicon nitride; trap distribution;
机译:电荷俘获闪存器件的俘获氮化物层中电荷俘获的光学电容-电压表征
机译:具有硅纳米晶体作为非易失性存储器件电荷捕获层的氮化硅的存储特性
机译:具有高k电介质和高功函数金属门的基于氮化物的电荷陷阱存储器件的数据保留特性,用于多千兆位闪存
机译:捕集密度和氮化硅层的分布对电荷陷阱闪存装置的保持特性的影响
机译:新型基于氮化硅的电荷陷阱栅功率半导体器件。
机译:以富含Si的SiOX作为电荷陷阱层和铟锡锌氧化物的透明非易失性存储器件的特性
机译:使用具有富含Si氮化物和氧 - 氮化物的金属氧化物 - 氮化物氧化物 - 氧化物和氧 - 氮化物作为堆叠电荷捕获层的电荷改善非挥发性辐射传感器