EUV lithography; mask; absorber; defect; printability; LWR; LER;
机译:具有图案粗糙度的极紫外掩模吸收剂缺陷对光刻图像的影响
机译:具有图案粗糙度的极紫外掩模吸收剂缺陷对光刻图像的影响
机译:通过EUV图案晶圆的全芯片光学检测来检测可印刷的EUV掩模吸收层缺陷和缺陷添加物
机译:EUV面罩吸收器缺陷对光刻图像图案粗糙度的影响
机译:具有掩埋缺陷的EUV光刻掩模的仿真和补偿方法。
机译:吸收层厚度缺陷密度和工作温度对MAPBI性能的影响
机译:新型EUV面罩吸收器评估支持下一代EUV成像
机译:极紫外光刻掩模上基板和吸收体缺陷的可印刷性