Resistance; Wires; Delays; Metallization; Correlation; Analytical models;
机译:线边缘粗糙度对缩放互连的电阻和电容的影响
机译:极端紫外光刻中的系统级线边缘粗糙度极限
机译:纳米级CMOS技术中线边缘粗糙度(LER)和线宽粗糙度(LWR)的研究:第二部分-实验结果及其对器件可变性的影响
机译:互连线边缘粗糙度的系统级影响
机译:极紫外光刻中掩模的粗糙度引起的线边缘粗糙度
机译:EUV光刻胶的分子模型揭示了链构象对线边缘粗糙度形成的影响
机译:极端紫外线光刻中的系统级线边粗糙度限制